传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。假如制取的Cu／W及Cu／Mo高密度水平不高，则密封性无法得到确保，危害封装特性。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；但密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属封装外壳CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。工艺优缺点：CNC工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。金属表面发黑处理的方法与流程金属防腐的保护层法：将金属产品与外界的腐蚀介质隔离开来，从而达到防止腐蚀的效果。金属防腐的保护层可以通过涂抹、喷涂、电镀、热镀、喷镀等方法形成。金属防腐的催化处理：金属催化防腐蚀是利用化学置换发硬，通过渗透加沉积，与工件本身发硬，形成新的合金层，结合力极强在350~400Mpa，不起皮，不脱落，性能非常稳定。形成新的合金层，结合力极强在350~400Mpa，不起皮，不脱落，性能非常稳定。催化后的产品在高温高压下等极限环境下，仍有较高的防腐、耐磨等特性。金属表面发黑处理作为比较常用的一种金属表面处理的方法，现有的金属表面发黑处理，由于处理工艺落后，导致处理后膜层光泽差，耐蚀性不够好等缺陷。)