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如何检测元件有老化的现象?半导体元件有许多参数都很重要,有些参数如:放大倍率,触发参数,闩扣,保持参数,崩溃电压等,是提供给工程师在设计电路时的依据,在检测元件是否有老化的现象时,仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较,就可判定元件的好坏或退化的百分比。何谓半导体元件的参数?对元件使用上有何重要性?中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的,因其必须承受规格上的电压与电流,在某条件下,承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据,元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。关断时间测试参数:1、关断时间toff:5~2000ns±3%±3ns2、关断延迟时间td(off):5~2000ns±3%±3ns3、下降时间tf:5~2000ns±3%±3ns4、关断能量:0。IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下:?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率,提升检测水平,增加经济效益;?半导体元器件生产厂——应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析,以确保出厂产品的合格率;?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;?航天、领域———应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;7、测量配置7.1示波器:美国泰克新5系混合信号示波器(MSO),带宽500MHZ,垂直分辨率12位ADC,4通道;7.2高速电流探头;7.3高压差分探头。8、测试参数应包括8.1开通:turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon);8.2关断:turnoff(tdoff,tf,Eoff,Ic,Poff);8.3反向***(Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec);8.4栅电荷:采用恒流驱动,电流可调范围:0~100mA;8.5短路(1200Amax);8.6雪崩;8.7NTC(模块)测试:0-20KΩ;8.8主要测试参数精度偏差:参数名称符号参数名称符号开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)上升时间tr下降时间tf开通时间ton关断时间toff开通损耗Eon关断损耗Eoff栅极电荷Qg短路电流ISC//可测量的FRD动态参数反向***电流IRM反向***电荷Qrr反向***时间trr反向***损耗Erec)
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