华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的IGBT测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块，大功率IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的V-I特性测试，测试1200A（可扩展至1600A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现的在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成IGBT的静态参数测试；近两年IGBT测试仪持续火爆，新能源汽车，轨道交通，风力发电等等都需要大量的IGBT模块，所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪，可以测试1200A，5000V以内的IGBT模块，基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了，我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数，对一些检修，维护领域的工作有比较好的帮助，目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪，包括动态测试仪，与国际品牌的设备也可以放在一起竞争了，而且我们不怕竞争，这对我们是一种促进。1电压源：220VAC±10%，50Hz/60Hz20ARMS。如何检测元件有老化的现象？半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广。何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电极电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。*3.7ICES集射极截止电流0.01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集电极电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电极电流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges栅极漏电流0.01～10μA栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二极管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；7、测量配置7.1示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；7.2高速电流探头；7.3高压差分探头。8、测试参数应包括8.1开通：turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)；8.2关断：turnoff(tdoff,tf,Eoff,Ic,Poff)；8.3反向***(Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；8.4栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；8.5短路（1200Ａmax）；8.6雪崩；8.7NTC(模块)测试：0-20KΩ；8.8主要测试参数精度偏差：)