电导率σi和电子导电的电导率σe之比σi/σe≥0.01。具有至少一层其至少部分所述导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电层的导电辊包括整个导电辊都由离子导电性聚合物赋予导电性的导电性橡胶组合物构成的导电辊以及由不同组成的多层构成的导电辊，而由不同组成的多层构成的导电辊中的至少一层由至少部分导电性由离子导电性聚合物的组合物赋予的导电性橡胶组合物构成，其他层则由离子导电性聚合物赋予导电性的导电层以外的橡胶等构成。铟锡台金靶材可以采用直流反应溅射制造ITO薄膜，但是靶表面会氧化而影响溅射率，并且不易得到大尺寸的台金靶材。而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。热压法：ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以100kgf/cm2～1000kgf/cm2的压力单轴向加压，同时以1000℃～1600℃进行烧结。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。在微孔孔径较大的发泡辊筒中，色粉进入辊筒的微孔内不易去除，所以存在图像混乱的问题。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。在铂族金属的应用中，光学玻璃行业是铂的重要的应用领域，铂是制造熔制光学玻璃的坩埚和搅拌器的必选材料，由于光学玻璃的特殊性，提出了对坩埚和搅拌器的更苛刻的适用要求，早在八十年代初期，国内就有人提出了用弥散强化铂来制作坩埚和搅拌器。21世纪展现良好发展前景的纳米技术，***由于它们的独特优异的物理化学性能，资源的稀缺性以及在已知的传统产业领域的不断扩大应用和在未知领域的不断开拓探索，成为纳米技术早和相当重要的研究对象之一。)