结晶态的二氧化硅矿物有石英砂、脉石英、粉石英。结晶硅微粉一般采用纯度较高的结晶型石英砂，破碎至适当粒度后，采用干法、湿法工艺研磨，然后通过旋风分级、沉降及水力旋流器等方法分离出粒度合格的硅微粉，经过磁选、酸洗、浮选等一系列步骤进行提纯，得到结晶硅微粉[9,10]。这样得到的硅微粉，其颗粒形状为不规则的多面体，为角形硅微粉。国内一般采用气流粉碎机制备超细硅微粉，其原理是利用高速气流的能量冲击硅微粉，使之互相碰撞、摩擦，从而使聚集体粉碎，这种方法可获得粒径在1~5μm之间的硅微粉。蒋述兴以高硬度钇稳定氧化锆球为研磨介质，用衬聚氨酯搅拌磨磨细石英砂并经过沉降分级，可获得SiO2质量分数为99.91%，粒径为1μm以下的高纯超细结晶硅微粉。球形硅微粉主要用于大规模集成电路封装，在航空、航天、精细化工、可擦写光盘、大面积电子基板、特种陶瓷及日用化妆品等高新技术领域也有应用，市场前景广阔。随着我国微电子工业的迅猛发展，超大规模集成电路对封装材料的要求越来越高，不仅要求其超细，而且要求高纯度，特别是对于颗粒形状提出球形化要求。但制备球形硅微粉是一项跨学科高难度工程，目前世界上只有少数***掌握此技术。众所周知，目前国内采购的球形球形氧化硅主要来自于进口的球形球形氧化硅价格高，且运输周期长。国内生产的高质量球形球形氧化硅，具有本土化优势，完全可以替代进口。一般集成电路都是用光刻的方法将电路集中刻制在单晶硅片上，然后接好连接引线和管角，再用环氧塑封料封装而成。塑封料的热膨胀率与单晶硅的越接近，集成电路的工作热稳定性就越好。单晶硅的熔点为1415℃，膨胀系数为3.5PPM，熔融石英粉的为(0.3～0.5)PPM，环氧树脂的为(30～50)PPM，当熔融球形石英粉以高比例加入环氧树脂中制成塑封料时，其热膨胀系数可调到8PPM左右，加得越多就越接近单晶硅片的，也就越好。而结晶粉俗称生粉的热膨胀系数为60PPM，结晶石英的熔点为1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中集成电路中不用球形粉时，也要用熔融的角形硅微粉。这也是球形粉想用结晶粉为近球形不能成功的原因所在。效果不行，走不通；10年前，包括现在我国还有人走这条路，从以上理论证明此种方法是不行的。即塑封料粉不能用结晶粉取代。)