蚀刻：蚀刻(etching)是将材料使用bai化学反应或物理du撞击作用而移除的技术。蚀刻的原理zhi是氧化还原反应中的置换dao反应：2AgNo3Cu=Cu(No3)*22Ag。利用蚀刻液与铜层反应,蚀去线路板上不需要的铜,得到所要求的线路。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wetetching)和干蚀刻(dryetching)两类。显影：显影是在印刷、影印、复印、晒图等行业中，让影像显现的一个过程。通过碱液作用，将未发生光聚合反应之感光材料部分冲掉。显影包括正显影和反转显影。实际***bai能量需根据干膜种类、厚度du或油墨种类/厚度/烘烤时间确定，正常线路***使zhi用能量40--120mj/cm2，油墨***能dao量150-500mJ/cm2，具体以***尺为准；线路***尺5--8格，油墨的***尺做到9--13格。***时必须抽真空充分，以免***不良，一般要求650mmHg以上真空度；显影时，显影点控制在50--70%以内，压力1.5--2.0kg/cm2。***过度会导致显影不净；***能量不足会导致显影过度。倒出显影液，用清水冲洗30秒，然后注入柯达F-5酸性定影液，搅拌10分钟，完成定影；倒出定影液，取出冲洗加工好的胶卷，用清水冲洗干净，凉干。正片成像；了解放大机的基本结构及使用方法；选择拍摄的底片，将底片放入底片夹内，乳剂面向下；开启***定时器电源开关，按下定时器调焦按钮，在放大机上进行调焦，待影像清晰后，调焦完毕，关闭调焦按钮；负胶：***区域发生交联，难溶于显影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快；显影时发生变形和膨胀，所以只能用于2μm的分辨率。正胶：正性光刻胶的***区域更加容易溶解于显影液。特性：分辨率高、台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。目前一般都是用正胶，对于线宽要求不高的时候或者一些特殊的用途（比如PSS等）可以选择负胶)