氧化锌（ZnO）单晶是具有半导体、发光、压电、电光等多种用途的功能晶体材料。不仅可用于制作紫外光电器件，也是高性1能的移动通讯基片材料和优1秀的闪烁材料；此外，氧化锌（ZnO）与GaN的晶格失配度特别小，是GaN外延生长***理想的衬底材料。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系,纤锌矿结构,点群为6mm,空间群为P6mc,z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶体中,Z离子和O离子沿c轴交替堆积,(O001)面终结于正电荷Z离子,(0001)面终结于负电荷O离子,因此,氧化锌（ZnO）单晶具有极性。氧化锌还是良好的光催化材料,可用于环境中的生物降解,光触媒杀菌等。为了更好地研究氧化锌的导体性能,有必要合成高质量的氧化锌单晶。常见的氧化锌（ZnO）属六方晶系,纤锌矿结构,点群为6mm,空间群为z=2,a=0.32488mm,c=0.51969mm。znO晶体中,Z离子和O离子沿c轴交替堆积,(O001)面终结于正电荷Z离子,(0001)面终结于负电荷O离子,因此,氧化锌（ZnO）单晶具有极性。众所周知氧化锌（ZnO）作为宽禁带半导体材料,具有纤锌矿结构,在室温下具有较强的激光发射性能,特殊形貌的氧化锌在上述诸多方面的优异性能正在被开发,为此,各种形貌氧化锌晶体的可控制备研究引起了人们的广泛兴趣。目前,生长氧化锌（ZnO）单晶体的方法有CvT、助熔剂法、溶液法和水热法。采用水热法已经生长出2~3英寸的ZnO晶体,这证明水热法是一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶体的有效的方法。)