氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族纤锌矿结构的半导体材料，禁带宽度为3.37eV；另外，其激子束缚能(60meV)比GaN(24meV)、ZnS(39meV)等材料高很多，如此高的激子束缚能使它在室温下稳定，不易被激发(室温下热离化能为26meV)，降低了室温下的激1射阈值，提高了ZnO材料的激发效率。基于这些特点，ZnO材料既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。氧化锌（ZnO）晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能IBⅥA族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。基于氧化锌（ZnO）的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌（ZnO）材料的新的研究热潮.氧化锌（ZnO）以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对氧化锌（ZnO）单晶的研究有重要的理论和实践意义。采用化学气相法在加热温度为300~500℃下进行试验,加热温度对氧化锌（ZnO）晶体的外观形貌有很重要的影响。氧化锌（ZnO）是一致熔融化合物,熔点为1975℃。由于高温下氧化锌（ZnO）的挥发性很强，传统的提拉法等熔体生长工艺很难获得氧化锌（ZnO）晶体体单晶。目前,氧化锌（ZnO）晶体体单晶的生长方法主要有缓慢冷却法、水热法和气相生长法。采用水热法，可以从KOH和LiOH混合水溶液中生长ZnO晶体。晶体呈浅绿色或浅***，完整性较好，但尺寸还不够大，难以满足工业应用的需求。)