福建便携式IGBT测试仪价格量大从优 华科半导体器件测试仪
11)动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μs?工作温度室温~40℃?工作湿度12)安全工作区测试续流二极管?浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μS?工作湿度13)被测器件旁路开关被测安全接地开关,设备不运行时,被测接地。?电流能力DC50A?隔离耐压15kV?响应时间150ms?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作湿度2.2反向***技术条件测试参数:1、Irr(反向***电流):50~1000A50~200A±3%±1A200~1000A±3%±2A2、Qrr(反向***电荷):1~1000uC1~50uC±5%±0.1uC50~200uC±5%±1uC200~1000uC±5%±2uC3、trr(反向***时间):20~2000ns20~100±5%±1ns100~500±5%±2ns500~2000±3%±5ns4、Erec(反向关断能量损失):0.5~1000mJ0.5~1mJ±5%±0.01mJ1~50mJ±5%±0.1mJ50~200mJ±5%±1mJ200~1000mJ±5%±2mJ测试条件:1、正向电流IFM:50~1000A50~200A±3%±1A200~1000A±3%±2A2、-di/dt测量范围:200~10000A/us3、反向关断峰值电压VRRpk:200~1000V±3%±2V4、dv/dt测量范围:100~10000V/us3)IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路?高压充电电源:10~1500V连续可调?支撑电容:额定电压2kV?01uA集电极电压VCE:0V栅极电压Vge:0-40V±3%±0。饱和通态压降电压探头精度要求:0.1~10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求:5~25V±1%±0.01V?集电极电流测试设备精度:200~500A±3%±1A;500~1000A±2%±2A?测试脉冲宽度:0.1~1ms可设定4)栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路?可调电源:±1V~±40V±2%±0.1V;?小电流测量设备精度:0.01~10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V;?脉冲时间:40~100ms可设定)
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