硅粉对浇注料强度的影响在添加硅细粉之后，耐火浇注料的抗压强度在三个温度阶段发生了显着变化。将初始强度在110°C下干燥后，SiO2微粉的凝结和粘结以及水泥的水合和粘结赋予了样品强度。经过中温强度1100℃的热处理后，由于SiO2微粉的细度和表面活性以及CaO和其他杂质在铸件中的熔解作用，降低了样品的烧结温度，使样品在1200℃下进行了更多的热处理。1100℃具有很强的陶瓷结合力，因此强度要高于110℃干燥后的强度：但由于烧结，水泥水合产物分解并排出水后留下的孔尚未完全消失，因此，表观孔隙率1100℃热处理后的样品110℃干燥后表观孔隙率增加。经过1450℃的高温强度热处理后，由于温度升高并形成温石棉，长石等CaO-AL2O3-SiO2低熔点相而进一步烧结样品。此外，大部分SiO2活性氧化铝细粉反应形成莫来石。这降低了样品的表观孔隙率，并进一步提高了强度。硅微粉用于覆铜板行业具有显著的物理特性：三高——高绝缘性、高热传导性、高热稳定性；三低——低热膨胀系数、低介电常数、低原料成本；两耐——耐酸碱性、耐磨性。随着二氧化硅自身表面处理条件的改进，改善了它与树脂体系的相容性，所以二氧化硅作为一种填料应用到覆铜板中，不但可降低成本，还能改进覆铜板的某些性能(如热膨胀系数、弯曲强度、尺寸稳定性。总之，从机械性能、电性能、热性能以及在体系中的分散性方面，二氧化硅都具有优势。球形硅微粉，主要用于大规模和超大规模集成电路的封装上，根据集程度（每块集成电路标准元件的数量）确定是否球形硅微粉，当集程度为1M到4M时，已经部分使用球形粉，8M到16M集程度时，已经全部使用球形粉。250M集程度时，集成电路的线宽为0.25μm，当1G集程度时，集成电路的线宽已经小到0.18μm，目前计算机PⅣ处理器的CPU芯片，就达到了这样的水平。这时所用的球形粉为更的，主要使用多晶硅的下脚料制成正硅酸乙脂与四水解得到SiO2，也制成球形其颗粒度为-（10～20）μm可调。这种用化学法合成的球形硅微粉比用天然的石英原料制成的球形粉要贵10倍，其原因是这种粉基本没有性α射线污染，可做到0.02PPb以下的铀含量。当集程度大时，由于超大规模集成电路间的导线间距非常小，封装料性大时集成电路工作时会产生源误差，会使超大规模集成电路工作时可靠性受到影响，因而必须对性提出严格要求。而天然石英原料达到(0.2～0.4)PPb就为好的原料。现在国内使用的球形粉主要是天然原料制成的球形粉，并且也是进口粉。)