IGBT测试装置技术要求（1）设备功能IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的***标准，系统为***式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电极电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7ICES集射极截止电流0.01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。集电极电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电极电流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges栅极漏电流0.01～10μA栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二极管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；3.3主要技术要求3.3.1动态参数测试单元技术要求3.3.1.1环境条件1)海拔高度：海拔不超过1000m；2)温度：储存环境温度-20℃～60℃；3)工作环境温度：-5℃～40℃；4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)；5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；14）工控机及操作系统用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：?机箱：4Μ15槽上架式机箱；?支持ATX母板；?CPΜ：INTEL双核；?主板：研华SIMB；?硬盘：1TB；内存4G；?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。?西门子PLC逻辑控制15）数据采集与处理单元用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：?示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求?电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求?状态监测：NI数据采集卡?上位机：基于Labview人机界面?数据提取：测试数据可存储为Excel文件及其他用户需要的任何数据格式，特别是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递至上位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；?数据处理和状态检测部分内容可扩展)