产品名称：图示仪型号：HM6042产地：德国***大测试电压40V，电流200mA，4W，游标读出功能，存储功能。操作简易半导体元件特性测试准确的游标对照快速容易地供元件比对参考资料记忆5轨迹屏幕显示低耗电量特性测试范围三个电压档Collector/Drain电压≤2V,10V,40V&plu***n;5%三个电流档Collector/Drain电流≤2mA,20Ma,200mA&plu***n;5%三个功率档功率≤0.04W,0.4W,4W&plu***n;10%Bas/Gate电压及电流lb1μA~10μAVb至2V&plu***n;5%Vg至10V&plu***n;5%***度静止精度Vc/d&plu***n;(2%o.v.+3位)Ic/d&plu***n;(2%o.v.+3位)lb&plu***n;(2%o.v.+3位)Vb&plu***n;(2%o.v.+3位)Vg&plu***n;(3%o.v.+3位)β至1000&plu***n;(5%o.v.+3位)β至100000&plu***n;[(6+0.001xβ)%o.v.+3位]动态精度h11≤1000Ω&plu***n;(12%o.v.+3位)≥1000Ω&plu***n;[(12+0.001meas.value)%o.v.+3位]h21≤1000&plu***n;(12%o.v.+3位)≥1000Ω&plu***n;[(12+0.001meas.value)%o.v.+3位]y21≤1000mS&plu***n;(12%o.v.+3位)h/y22≤1000mS&plu***n;(12%o.v.+3位)杂项功能参考测试值可储存游标测试功能单一模式计算测试点的值跟踪模式两个游标***后h/y数据测试计算可以适用的元件Diodes,ZenerDiodesNPN/PNP-TransistorsFET/MOS-FET(N/P-Channel)Thyristors