欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。电流通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）。当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。2.4短路技术条件1、Vcc：200～1000V200～1000V±3%±2V2、一次短路电流：20000A500～1000A±3%±2A1000A～5000A±2%±5A5000A～20000A±2%±10A3、tp：5-30us2.5雪崩技术条件1、Vce：50～500V±3%±5V500～1000V±3%±5V2、Ic：1A～50A1A～9.9A±3%±50mA10A～50A±3%±1A3、EA：10mJ～20J10mJ～1000mJ±3%±1mJ1J～20J±3%±10mJ4、脉冲宽度：40—1000uS可设定5、测试频率：单次2.6NTC测试技术条件阻值测量范围：0～20KΩ其中：Vcc试验电压源±VGG栅极电压C1箝位电容Q1陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）L负载电感：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC集电极电流取样电流传感器DUT被测器件关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，开关被测器件DUT一次，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据。)