测试参数：ICES集电极-发射极漏电流IGESF正向栅极漏电流IGESR反向栅极漏电流BVCES集电极-发射极击穿电压VGETH栅极-发射极阈值电压VCESAT集电极-发射极饱和电压ICON通态电极电流VGEON通态栅极电压VF二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。01mA栅极电压VGE：0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth：1-10V±2%±0。华科智源IGBT测试仪针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路。IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下：?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益；?半导体元器件生产厂——应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率；?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；?航天、领域———应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；参数名称符号参数名称符号开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)上升时间tr下降时间tf开通时间ton关断时间toff开通损耗Eon关断损耗Eoff栅极电荷Qg短路电流ISC//可测量的FRD动态参数反向***电流IRM反向***电荷Qrr反向***时间trr反向***损耗Erec)