Cu基复合材料纯铜具有较低的退火点，它制成的底座出现软化可以导致芯片和／或基板开裂。为了提高铜的退火点，可以在铜中加入少量Al2O3、锆、银、硅。这些物质可以使无氧高导铜的退火点从320℃升高到400℃，而热导率和电导率损失不大。与传统金属封装材料相比，它们主要有以下优点：①可以通过改变增强体的种类、体积分数、排列方式或改变基体合金，改变材料的热物理性能，满足封装热耗散的要求，甚至简化封装的设计。金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。它广泛用于混合电路的封装，主要是和定制的专用气密封装，在许多领域，尤其是在军事及航空航天领域得到了广泛的应用。金属封装外壳编程囊括了加工的工序设定、刀具选择，转速设定，刀具每次进给的距离等等。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具与传统式金属封装材料对比，他们关键有下列优势：①能够根据改变提高体的类型、体积分数、排序方法或改变常规铝合金，改变材料的热工艺性能，考虑封装热失配的规定，乃至简单化封装的设计方案;②材料生产制造灵便，价钱持续减少，非常是可立即成型，防止了价格昂贵的生产加工花费和生产加工导致的材料耗损；尽管设计师能够选用相近铜的方法处理这个问题，但铜、铝与集成ic、基钢板比较严重的热失配，给封装的热设计产生挺大艰难，危害了他们的普遍应用。1．2钨、钼Mo的CTE为5．35×10-6K-1，与可伐和Al2O3十分配对，它的导热系数非常高，为138W(m-K-1)，所以做为气密性封装的基座与可伐的腋角电焊焊接在一起，用在许多中、高功率的金属封装中Cu／W和Cu／Mo以便减少Cu的CTE，能够将铜与CTE标值较小的化学物质如Mo、W等复合型，获得Cu／W及Cu／Mo金属材料-金属材料复合型材料。这种材料具备高的导电性、传热性能，另外结合W、Mo的低CTE、高韧性特点。它的热导率为401W(m-1K-1)，从热传导的角度观察，做为封裝罩壳是十分理想化的，能够应用在必须高烧导和／或高电导的封裝里，殊不知，它的CTE达到16．5×10-6K-1，能够在刚度粘合的陶瓷基板上导致挺大的焊接应力。Cu／W及Cu／Mo的CTE能够依据组元相对性成分的转变开展调节，能够用作封装基座、热沉，还能够用作散热器。金属封裝外壳压铸成形工艺：全压铸的工艺和塑胶制品的生产工艺流程十分相似，全是运用精密机械制造开展生产加工，仅仅材料由塑胶改为了溶化的金属；CNC与压铸融合工艺；以便降低瓷器基板上的地应力，设计师可以用好多个较小的基板来替代单一的大基板，分离走线。淬火的全铜因为物理性能差，非常少应用。冷作硬化的全铜尽管有较高的抗拉强度，但在外壳生产制造或密封性时不高的溫度便会使它淬火变软，在开展机械设备冲击性或稳定瞬时速度实验时导致外壳底端形变。许多密度低、的金属基复合材料特别适合航空公司、航空航天主要用途。这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料，为适应电子封装发展的要求，国内开展对金属基复合材料的研究和使用将是非常重要的。金属基复合材料的常规原材料有很多种多样，但做为热配对复合材料用以封裝的主要是Cu基和灿基复合材料。金属封装外壳在将柱形铝材按照前面评估的胚料大小进行切割并挤压，这个过程被称之为铝挤，会让铝材挤压之后成为规则的铝板方便加工，同时更加致密，坚硬。因为原始的铝材硬度和强度都不够。因而用碳纤维(石墨纤维)增强的铜基复合材料在高功率密度应用领域很有吸引力。金属封装多种形式、加工灵便，能够和一些构件(如混和集成化的A／D或D／A转化器)结合为一体，合适于低I／O数的单芯片和多芯片的主要用途，也合适于频射、微波加热、光学、声表面波和大电力电子器件，能够考虑批量生产、销售电价的规定。与铜复合的材料沿碳纤维长度方向CTE为-0．5×10-6K-1，热导率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纤维长度方向的CTE为8×10-6K-1,热导率为51-59W(m-1K-1)，比沿纤维长度方向的热导率至少低一个数量级。但密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。)