什么是大功率半导体元件？其用途为何？凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、GTO等各型闸流体与二极管(DIODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。4验收和测试1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。8）高压大功率开关?电流能力200A?隔离耐压10kV?响应时间150ms?脉冲电流20kA（不小于10ms）?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温～40℃?工作湿度9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流200A?工作湿度关断时间测试参数：1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、关断耗散功率Pon：10W～250kW关断时间测试条件：1、集电极电压Vce：50～100V±3%±1V100～500V±3%±5V500V～1000V±3%±10V2、集电极电流Ic：50～100A±3%±1A;100～500A±3%±2A;500～1000A±3%±5A;静态及动态测试系统技术规范供货范围一览表序号名称型号单位数量1半导体静态及动态测试系统HUSTEC-2010套11范围本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。8环境要求环境温度：15～35℃相对湿度：小于70%大气压力：86Kpa～106Kpa压缩空气：不小于0。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。)