石英砂提纯主要流程及技术要求：粗选：将各类石英原矿中的明显的杂质和***去除；2、破碎：采用破碎机将石英原矿破碎至粒径为1-20mm的颗粒；3、水淬：将被烧后的石英颗粒置于冷水中快速冷却，以达到去除矿物内部的汽泡、水纹以及一些包裹的杂质的目的，使矿物裂开。石英煅烧水淬处理也称热力破碎，是指石英在高温煅烧时会发生晶形转变（α石英→β石英→β鳞石英），从而使体积增大，晶体中原有的缺陷程度变得更严重，当水淬时晶体体积突然变小，晶体缺陷处的内应力迅速增大促使晶体在缺陷处的一种方法。晶体在缺陷处，使原石英中的包裹体和裂隙中的杂质暴露在颗粒表面，酸处理时就能易于除去。粉碎：采用湿磨或干磨将原料制成粒径在5-50μm的超细石英砂；5、磁选：选用磁场强度为50-15000高斯的高梯磁磁选选矿设备，除去矿中的磁性矿物，如：褐铁矿、赤铁矿、云母、石榴子石、黄铁矿、钛铁矿等。除了细度，硅微粉的球形化对硅微粉性能的影响也较大。球形硅微粉由于其颗粒呈球形而具有很好的流动性，在流动性不变的情况下，可以提高硅微粉的填充量，填充率越高，复合材料的热膨胀系数就越小，导热系数就越高。而且用球形硅微粉填充的塑封料应力集中较小，强度较高，当角形硅微粉的塑封料应力集中为1时，球形硅微粉的应力仅为0.6。此外，在塑封料的生产过程中，球形硅微粉较角形硅微粉摩擦系数小，对模具的磨损慢，可以将模具的使用寿命延长一倍。粉粒间相互磨搓作用较湿磨大，有利于得到圆整度好的球形粒子。此外，对同一物料，同一加工条件下，颗粒粒度越小，其颗粒的球形度越好。尽管如此，单纯机械法和干磨法效果并不理想。一般集成电路都是用光刻的方法将电路集中刻制在单晶硅片上，然后接好连接引线和管角，再用环氧塑封料封装而成。塑封料的热膨胀率与单晶硅的越接近，集成电路的工作热稳定性就越好。单晶硅的熔点为1415℃，膨胀系数为3.5PPM，熔融石英粉的为(0.3～0.5)PPM，环氧树脂的为(30～50)PPM，当熔融球形石英粉以高比例加入环氧树脂中制成塑封料时，其热膨胀系数可调到8PPM左右，加得越多就越接近单晶硅片的，也就越好。而结晶粉俗称生粉的热膨胀系数为60PPM，结晶石英的熔点为1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中集成电路中不用球形粉时，也要用熔融的角形硅微粉。这也是球形粉想用结晶粉为近球形不能成功的原因所在。效果不行，走不通；10年前，包括现在我国还有人走这条路，从以上理论证明此种方法是不行的。即塑封料粉不能用结晶粉取代。)