压电晶体一般指压电单晶体，是指按晶体空间点阵长程有序生长而成的晶体。这种晶体结构无对称中心，因此具有压电性。如水晶（石英晶体）、鎵酸锂、锗酸锂、锗酸钛以及铁晶体管铌酸锂、钽酸锂等。相比较而言，压电陶瓷压电性强、介电常数高、可以加工成任意形状，但机械品质因子较低、电损耗较大、稳定性差，因而适合于大功率换能器和宽带滤波器等应用，但对高频、高稳定应用不理想。石英等压电单晶压电性弱，介电常数很低，受切型限制存在尺寸局限，但稳定性很高，机械品质因子高，多用来作标准频率控制的振子、高选择性（多属高频狭带通）的滤波器以及高频、高温超声换能器等。近来由于铌镁酸铅Pb(Mg1/3Nb2/3)O3单晶体（Kp≥90%,d33≥900×10-3C/N,ε≥20,000）性能特异，国内外上都开始这种材料的研究，但由于其居里点太低，离使用化尚有一段距离。常见的压电陶瓷种类如下，大家涉及相关问题的时候可以参考：1铁电陶瓷ferroelecteicceramics具有重铁电性的陶瓷称为铁电陶瓷。KP：平面机电耦合系数反映薄圆片沿厚度方向极化和电激励，作径向伸缩振动时机电耦合效应的参数。K31：横向机电耦合系数反映细长条沿厚度方向极化和电激励，做长度伸缩振动时机电耦合效应的参数KP：平面机电耦合系数反映薄圆片沿厚度方向极化和电激励，作径向伸缩振动时机电耦合效应的参数。K31：横向机电耦合系数反映细长条沿厚度方向极化和电激励，做长度伸缩振动时机电耦合效应的参数由于PZT基压电陶瓷含有大量的铅,而氧化铅在烧结过程中易挥发,难以获得致密烧结体,同时又由于相界面附近体系的压电、热电性能依赖钛和锆的组成比,故较难保证性能的重复性,这给实际的制备与应用带来了一定的困难.由于PZT基压电陶瓷含有大量的铅,而氧化铅在烧结过程中易挥发,难以获得致密烧结体,同时又由于相界面附近体系的压电、热电性能依赖钛和锆的组成比,故较难保证性能的重复性,这给实际的制备与应用带来了一定的困难.)