金属箔(尤其是铜箔)上的化学气相沉积(CVD)是目前制备大面积高质量石墨烯薄膜具发展前景的方法生长在铜箔上的石墨烯薄膜中为什么会出现“adlayers”，发现薄膜中的碳杂质直接导致adlayers的成核和生长。通过使用飞行时间二次离子质谱和燃烧分析，发现商业铜箔有‘过量的碳’，尤其是在表面附近，深度约为300纳米。原子沉积过程可以在真空，气态，等离子体或电解环境中进行。而且，沉积室中的真空环境会将沉积过程中的气态污染降低到非常低的水平。过去的几十年展示了PVD技术的发展，旨在改善涂层特性和沉积速率，而无需保留初始表面清洁以去除可能的污染物。该技术已经得到了相关的改进，主要是在碳化物和纳米复合过渡金属氮化物衬底上。尽管这种方法的沉积速率有效性的提高一直是与这种技术有关的工业关注的***，但研究仍集中在改善涂层的特性上。对于需要更高的表面形态质量的应用（对于粗糙度，晶粒尺寸，化学计量和其他要求比沉积速率更重要的应用），溅射工艺似乎是一种替代方法。由于在冷却过程中随着温度或基材（聚合物）熔化温度的降低而产生的应力，沉积过程对某些应用提出了温度限制。这导致溅射工艺在PVD沉积技术中变得更加重要，同时又不会忘记基于溅射工艺的新技术的出现，以满足不断增长的市场需求。随着市场和研究人员的要求，随着基于传统工艺的新系统的出现，新的涂料性能得到了发展。即使通过蒸发工艺获得的沉积速率是理想的，但事实是，溅射沉积技术在质量和沉积速率方面取得了无疑的进步，响应了对此领域感兴趣的行业和研究人员的需求，甚至用作中间层，用于通过化学气相沉积（CVD）获得的其他涂层。CVD是另一种在真空下沉积的方法，并且是使待沉积材料中的挥发性化合物与其他气体发生化学反应的过程，以产生沉积在基材上的非挥发性固体。)