测量目的：对模块的电压降参数进行检测,可判断模块是否处于正常状态。功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±0。IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格。)