使用方法：1．使用工艺处理浓度:建议控制条件理想值Risr-B709原液使用原液使用处理温度amp;nbsp;65-75℃70℃处理方法amp;nbsp;搅拌浸泡处理时间amp;nbsp;5-10分钟5min注：使用前采用恒温加热35℃和均匀的搅拌，建议采用石英加热器加热。2．处理流程工件脱脂水洗***化抛剂清洗（2-3次）烘干或后处理工序。建浴：1、清槽建议使用钢体结构内衬PP或PE材料，首先使用碱液清洗后再使用盐酸清洗，再用清水清洗2-3遍，后使用纯水清洗一遍；2、配制原液使用。废水处理：废水处理按常规***处理，同时应遵循有关的化学应用规则，注意事项：在接触***时，必须阅读、理解和遵循MSDS上的急救和处理建议。贮存时注意：贮存处应阴凉、干燥、避光。极氧化铝板化学抛光中出现的缺陷及其纠正措施是在生产的发展过程中不断总结完善的。白色附着物。该缺陷的形貌为化学抛光后的铝材表面上附着有一层白色的沉积物，且分布不均匀，附着物底部的铝材表面有可能被腐蚀。通常，该缺陷是因为化学抛光槽液中溶铝量太高所致，如果化学抛光槽液的相对密度在1.80以上，可以得到进一步证实。则需采取措施调整槽液中的溶铝量到正常的范围内。抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，具有良好的去油污，防锈，清洗和增光性能，并能使金属制品超过原有的光泽。产品性能稳定、***，对环境无污染等优点。包括棘轮扳手、开口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺丝刀等，铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后，再使用抛光剂配合振动研磨光饰机，滚桶式研磨光式机进行抛光。1、抛光剂投放量为（根据不同产品的大小，光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置）；2、抛光时间：根据产品的状态来定；3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术（如：基于淀积技术的选择淀积、溅射等）虽然也可以提供“光滑”的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。)