当压电材料—定时，谐振频率与h成正比，与(D/2)2成反比。谐振频率fo与复合振动片的直径D呈指数关系。显然D愈大，低频特性愈好。压电陶瓷片作传声器使用时，工作频率约为300Hz~5kHz。压电陶瓷片的阻抗Z取决于d/D之比，阻抗随d/D比值的增大而降低。当压电材料—定时，谐振频率与h成正比，与(D/2)2成反比。谐振频率fo与复合振动片的直径D呈指数关系。显然D愈大，低频特性愈好。压电陶瓷片作传声器使用时，工作频率约为300Hz~5kHz。压电陶瓷片的阻抗Z取决于d/D之比，阻抗随d/D比值的增大而降低。利用常规双压电晶片元件振动器的弯曲振动，在频率高于75kHz的情况下，是不可能达到此目的的。2.介电陶瓷：介电陶瓷是电子陶瓷中产量大的一支，主要用在制作电容器，传统的电容器包括了温度补偿型，高K型与半导型。由於目前电子元件追求小型化，因此将多层的电容做积层的串连，成为积层电容器，大量的以***T（表面黏着技术）使用在印刷电路版上。而利用陶瓷介电性制成的高频共振元件，则运用在大哥大电话，位星通讯等高频通讯的领域，在讲究个人通讯的今日，有无穷的潜力。介电陶瓷中的铁电陶瓷具有极高的介电系数与自发性极化，利用其高介电性，可以应用在高容量DRAM（动态随机记体）的制造中。例如1996年日本三菱公司发表以BST为基础的4Gb容量DRAM，具有极高的商业潜力，利用自发性极化，可以作为非挥发性记忆体，未来可能取代硬碟，成为大容量IC记忆体的新宠儿。4）开关式电源开关式驱动电源基于直流变化器原理，由于输出级(通常是MOSFET)只工作在开、关两种状态，因而提高了效率，发热小。利用常规双压电晶片元件振动器的弯曲振动，在频率高于75kHz的情况下，是不可能达到此目的的。所以，在高频率探测中，必须使用垂直厚度振动模式的压电陶瓷。在这种情况下，压电陶瓷的声阻抗与空气的匹配就变得十分重要。压电陶瓷的声阻抗为2.6×107kg/m2s，而空气的声阻抗为4.3×102kg/m2s。5个幂的差异会导致在压电陶瓷振动辐射表面上的大量损失。一种特殊材料粘附在压电陶瓷上，作为声匹配层，可实现与空气的声阻抗相匹配。这种结构可以使超声波传感器在高达数百kHz频率的情况下，仍然能够正常工作。本文结合无铅压电陶瓷研究和开发的近期进展,综合评述了无铅压电陶瓷的研究思路、研究现状以及发展趋势,着重讨论了BNT基及KNN基无铅压电陶瓷的体系构建、改性手段、相变特性及温度稳定性,并就无铅压电陶瓷今后的研究和发展提出了一些建议。)