嵌入式存储技术的发展已经使得大容量DRAM和SRAM在目前的系统级芯片(SoC)中非常普遍。大容量存储器和小容量存储器之间的折衷权衡使得各种尺寸的存储器变得切实可行，SoC也更像过去的板级系统。式的嵌入式存储器甚至增加了低功耗工作特性以满足手持系统的需求。大容量嵌入式存储器给SoC带来了诸如改善带宽和降低功耗等只能通过采用嵌入技术来实现的各种好处。汕头TB850库存实验首先是用质量块安装在缓冲垫和力传感器上，当质量块迅速取走时候，侧出力传感器的输出，这个读书除以装有加速度传感器圆柱形钢质量，这样首先是计算出力传感器的输出灵敏系数。然后将加速度的钢柱从适合高度落到缓冲垫和力传感器上时，同时记录力传感器的输出峰值好加速度传感器的输出峰值，根据牛顿第二运动定律，作用力等于反作用力。这种标定的方法对于线性传感器，力传感器的灵敏度系数将消除，然而，标定依赖于当地重力加速度。SoC中内嵌DRAM和/或大容量SRAM模块是否切合实际并取得成功主要依赖于制造工艺。高度可制造的存储器结构可以解决影响SoC设计的成本、上市时间和风险问题。虽然SRAM一直是SoC中的主要部件，但在过去的几年，单片SoC中SRAM块的大小和数量开始猛增。带150个SRAM块的芯片并不稀奇，一些内核容量甚至达到1Mb～8Mb。SiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000SiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000SiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000PhoenixContactInterbus-SBusklemmeIBSST24BKRB-TPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TNeuinOVPSiemensPhoenixInterbusIBSS7-400ETHDSCI-T2731102PhoenixContactInterBus-SIBSAI6/8AnalogInputPhoenixContactInterBus-SIBSAO4/8AnalogOutputSiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000PhoenixContactIBSST24BK-TInterBusPHOENIXCONTACTIBSInterBusIBST24Ao4/SF/4AnalogPHOENIXINTERBUS-Motors?chalterIBSIP500ELRANr2751755SiemensS5PhoenixContactInterbus-SIBSS5DCB-Ts7Ort:TschechischeRepublikPhoenixInterbusModulIBSCT24DIONo.2750497Expressversandm?glichPhoenixInterbusModulIBSCT24DIONo.2750497Expressversandm?glichPhoenixInterbusModulIBSCT24DIONo.2750497Expressversandm?glichPhoenixInterbusIBSS7-400ETHDSC/I-TAnschaltbaugr.PHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TTopPhoenixContactInterbusIBC24DIOovpPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DO16-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DO16-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2PHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2PHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPhoenixContactInterbusIBSMCFlash2MB2729389)