与此同时，DRAM可制造性的提高已使得大容量DRAM模块的应用迅速增加。甚至在游戏机和便携式摄像机所用的ASIC中都包含了DRAM内核。以东芝为例，其嵌入式DRAM系统常常采用新一代制造技术。随着芯片制造向更细工艺发展，SoC中内嵌DRAM的数量和大小也不断增加。在180纳米工艺下，系统ASIC一般采用两块DRAM，总存储容量可到64Mb左右。而在目前的130和90纳米工艺下，一般系统会采用四块以上DRAM内核，容量为120Mb。揭阳triconex3503E海量现货为增大仪器可测量的范围（动态范围），绝大多数测量仪器都会设置多个量程，以满足不同情况下测量不同大小信号的需求。当使用大量程测试小信号时会有什么结果呢？很多人回答会造成误差增大，但往往说不上来原因，今天我们将会带大家深入讨论一下这样使用带来的影响和原因。许多人认为大量程可测量的范围很大，大小信号都可以兼顾，因此在很多情况下都优先选择较大的量程进行测量，或者不注意选择，直接默认设置，如此使用时，仪器测量的值依然能正常显示，看起来数值也似乎还算准确。从制造的角度看，大块和小块存储器的制造难度差不多。不过，在大存储器和小存储器之间的权衡折衷要考虑对性能、芯片面积的一些影响。这些权衡不那么简单，所以如果用户要在使用较少的大块存储器与使用较多的小块存储器之间做选择的话，咨询一下半导体供应商的应用工程师。甚至在制造之前，大的存储器块必须很好满足后端布局布线的要求。目前在超大块的存储器顶层布线的能力已经使得它们对于布局布线环境来说更加友好了。公共BIST模块的测试方案也已经变得很友好。如今，用户可以在众多面向嵌入式存储器测试方案中进行选择，有些方案需要晶圆级存储器测试器，而有些非常依赖于BIST结构。针对给定设计选择的测试方案，需要用户和硅片供应商一起详细讨论。PHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Do32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Do32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Do32/2PHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Do32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Do32/2PHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Do32/2SiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000*TOP*Ort:?sterreichSiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000*TOP*Ort:?sterreichPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSPTI00A/4PHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBSST24BK-TPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBSST24BK-T5StückPhoenixContactINTERBUSIBS24BK/LC5StückPhoenixContactINTERBUSIBS24BK/LCPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBSST24BK-TPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBSST24BK-TPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBSST24BK-TPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBSST24BK-T5StückPhoenixContactINTERBUSIBS24BK/LCPhoenixIBSINTERBUSRelaisModulPhoenixContactInterBus-SIBS24BK-I/O-T#3269PhoenixContactInterBus-SIBSAI3AnalogInput#3270PhoenixContactInterbusMCFlashCard2MBNeuwertigMA41PhoenixSiemensFeldbusInterBus-SIBSS5DCB/I-TPhoenixInterbus-SIBS24BK-I/O-TBusTerminalPHOENIXCONTACTIBS24BK-I/O-TorIBS24BKIOTINTERBUSPhoenixContactInterbusIBSLIP500MLR4-6A-22731335PHOENIXCONTACTIBS24DOIINTERBUS-SPhoenixContactIBS24BKInterBus)