嵌入式存储技术的发展已经使得大容量DRAM和SRAM在目前的系统级芯片(SoC)中非常普遍。大容量存储器和小容量存储器之间的折衷权衡使得各种尺寸的存储器变得切实可行，SoC也更像过去的板级系统。式的嵌入式存储器甚至增加了低功耗工作特性以满足手持系统的需求。大容量嵌入式存储器给SoC带来了诸如改善带宽和降低功耗等只能通过采用嵌入技术来实现的各种好处。佛山Bently3500/25库存信号发生器生成波形的方式可以大致分为两种DDS模式和Arb模式。两种模式都具有优缺点。DDS模式具有低成本、低功耗、高分辨率和频率转换快等优点，适合输出调频、调相、扫频信号。但是DDS可能会丢失一些数据点。另外一种方式就是Arb模式，可以理解为真任意波形发生器的意思。使用Arb模式可以编辑真实的复杂的任意波形信号。无论是上述两种方式的哪一种或是一些新推出的其他方式的波形生成方法，采样（时钟）速率和分辨率都是非常关键的参数。SoC中内嵌DRAM和/或大容量SRAM模块是否切合实际并取得成功主要依赖于制造工艺。高度可制造的存储器结构可以解决影响SoC设计的成本、上市时间和风险问题。虽然SRAM一直是SoC中的主要部件，但在过去的几年，单片SoC中SRAM块的大小和数量开始猛增。带150个SRAM块的芯片并不稀奇，一些内核容量甚至达到1Mb～8Mb。SiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000SiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000SiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000PhoenixContactInterbus-SBusklemmeIBSST24BKRB-TPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TNeuinOVPSiemensPhoenixInterbusIBSS7-400ETHDSCI-T2731102PhoenixContactInterBus-SIBSAI6/8AnalogInputPhoenixContactInterBus-SIBSAO4/8AnalogOutputSiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000PhoenixContactIBSST24BK-TInterBusPHOENIXCONTACTIBSInterBusIBST24Ao4/SF/4AnalogPHOENIXINTERBUS-Motors?chalterIBSIP500ELRANr2751755SiemensS5PhoenixContactInterbus-SIBSS5DCB-Ts7Ort:TschechischeRepublikPhoenixInterbusModulIBSCT24DIONo.2750497Expressversandm?glichPhoenixInterbusModulIBSCT24DIONo.2750497Expressversandm?glichPhoenixInterbusModulIBSCT24DIONo.2750497Expressversandm?glichPhoenixInterbusIBSS7-400ETHDSC/I-TAnschaltbaugr.PHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TTopPhoenixContactInterbusIBC24DIOovpPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DO16-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DO16-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2PHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2PHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPhoenixContactInterbusIBSMCFlash2MB2729389)