铝酸镧（LaAlO3）具有大的禁带宽度(5-6eV),高的介电常数值(~25)和很好的热稳定性使其成为替代Si基jin属-氧化物-半导体场效应晶体管中SiO2的***佳替代材料。产品规格：常规尺寸：5x5x0.5mm、10x10x0.5mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm；常规晶向：lt;100gt;、lt;110gt;、lt;111gt;；晶向公差：/-0.5度；抛光情况：单抛或双抛（lt;110gt;Ralt;15A，lt;100gt;和lt;111gt;Ralt;5A）。注：可按照客户要求加工尺寸及方向。影响LaALO3晶体生长质量的主要因素如下几点:(1)合适的温场,既要有生长趋动力,又要防止组份过冷。(2)设置合适的提拉速度和旋转转速,确保平界面或微凸界面生长。(3)保持下种放肩的连续性和平坦性,绝1对避免温度的波动。(4)高纯度(≥99.9995）的原料是确保获得高质量晶体的基本保证。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装。铝酸镧（LaAlO3）晶体因其与超导、铁电、Mn氧化物巨磁电阻薄膜等有良好的晶格匹配性能,是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜极1好的衬底材料，其介电性能适合于低损耗微波及介电共振方面的应用。铝酸镧（LaAlO3）晶体是以定化学配比的La2O3和Al2O3为原料,在200℃下用提拉法生长的，然后经标准工艺切割和抛光,制成5×10mm2的铝酸镧（LaAlO3）晶片,晶向为[001]。)