抗干扰性电力电容器去耦——板间去耦板间去耦电容就是指开关电源面和接路面中间的电容器，关键处理开关电源中造成的高频率瞬变电流量。开关电源键入端接地一个10～100uF的电解电容器，假如pcb电路板的部位容许，选用100uF之上的电解电容器的抗干扰性实际效果会更好。去耦电容的导线不可以太长，一般都紧靠在集成电路芯片开关电源周围，联线要粗一些。干扰信号(EMI）是一种电子控制系统或子系统受非预估的电磁感应振荡导致的性能损害。电容种类复杂，但不管再如何归类，其基本概念全是运用电容器对交替变化数据信号呈低阻情况。电流的磁场的頻率f越高，电容器的特性阻抗就越低。旁路电容起的关键***是给沟通交流数据信号出示低特性阻抗的通道;去耦电容的关键作用是出示一个部分的直流稳压电源给有源器件，以降低电源开关噪音在板上的散播和将噪音正确引导到地，添加去耦电容后工作电压的谐波失真影响会显著减少;耦合电容常见于低通滤波器中。一般的选择标准是：①针对数据信号頻率为中低頻，电子器件较少，走线相对密度归属于较低或中等水平时，采用单面板或双面线路板。自我修复是什么意思？当金属化膜电容器的介穿（内部故障）时，短路电流将熔化并蒸发击穿部位周围的金属膜，从而***绝缘（即，电容器返回其正常工作状态）。可以看出，自我修复可以确保电容器工作的连续性。缺点是每次自我修复都会导致电容器容量的衰减。纬迪实业***致力于薄膜电容器的研发、生产。经过十多年的不懈努力,公司现已发展成为业界实力雄厚的薄膜电容器***制造商，为照明、家电、通讯、汽车电子、工业控制、绿色能源等各类整机客户提供薄膜电容器一站式的解决方案。MKP是一种金属化聚丙烯薄膜电容器，具有低损耗，无感结构和自愈击穿的特点。适用于高压，大电流和高脉冲强度电路。CBB电容器也称为聚丙烯电容器。电容为10p-10μ，额定电压为63--2000V。电容越大对低频干扰的效果虽然好，但是由于电容在较低的频率发生了谐振，阻抗开始随频率的升高而增加，因此对高频噪声的旁路效果变差。无极性，高绝缘电阻，出色的频率特性和低介电损耗。使用上的区别：MKP电容器主要用于EMI传入线路滤波，CBB电容器主要用于振荡，耦合，电阻电容电路等；CBB22的成本低于MKP，并且其电气性能可以满足实际的直流耐压条件。可以替代MKP。)