大的DRAM模块变得更加“友好”的另一个方面是其功耗。从180纳米向130纳米转换时功耗已经得到极大的改善。在130纳米工艺下，一个分页写模式的DRAM功耗只有180纳米工艺下的34%。待机功耗也降到了180纳米下的24%，而停止工作时的功耗只有180纳米下的12%。功耗的减少有助于推动大的嵌入式DRAM在便携式摄像机和手机SoC中的应用。江门triconex8310上架地：也叫机壳地，为防止静电感应和磁场感应而设。以上这些地线处理是系统设计、安装、调试中的一个重要问题。下面就接地问题提出一些看法：控制系统宜采用一点接地。一般情况下,高频电路应就近多点接地，低频电路应一点接地。在低频电路中，布线和元件间的电感并不是什么大问题，然而接地形成的环路的干扰影响很大，常以一点作为接地点;但一点接地不适用于高频，因为高频时，地线上具有电感因而增加了地线阻抗，同时各地线之间又产生电感耦合。嵌入式存储器的繁荣完全归功于新的集成工艺技术的成功，开发这些工艺技术的初始阶段就考虑了大存储器。工艺一代比一代更加精良，保证了含有SRAM或DRAM芯片的高成品率。仅仅在这个层面上，就可以预言ASIC厂商能提供具有成本效益的嵌入式存储器。基于这个原因，用户可以预计SRAM和内嵌沟道型DRAM将是未来SoC的流行选择。除了成本的降低，采用这类存储器可以把上市时间和设计风险降到。要得到这些好处，用户要注意的是必须有效利用其工艺供应商的存储器IP，因为制造工艺要结合专门的存储器结构才能发挥作用。针对非易失性存储要求，东芝公司已经发现，在一个堆叠裸片封装中将SoC和现成的闪存结合在一起可以工作得非常好，而且成本较低。另外，SRAM对于小的、高速的SoC存储器来说是理想选择，而嵌入式沟道型DRAM适合于满足大的存储块需要。PhoenixContactIBS24DI/32InterBus-SPhoenixContactIBS24DI/32InterBus-SPhoenixContactIBS24DOInterBus-SPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di16/4Ph?nixContactInterbusIBSST24BKLB-TInterbus-sOrt:?sterreichPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Do16/3PHOENIXCONTACTInterBus-SIBSAI3/IPHOENIXCONTACTInterBus-SIBS230DIIdent.134PHOENIXCONTACTInterBus-SIBSAO3Ident.69PhoenixContactInterbusIBIL24DO32/HD-PACovpPhoenixContactInterbusSKBI64/F48ovpPhoenixInterbus-SIBS24DI/LCDigitalInputPhoenixInterbus-SIBS24DO/LCDigitalOutputPhoenixContactInterbusS5DABPhoenixContactInterbusS5DABPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSAI3PhoenixContactInterbusIBIL24DI32/HD-PACovpPHOENIXCONTACTInterBus-SIBS24BK-I/O-TBusTerminal2719975PhoenixInterbusAnschaltungIBSS7300DSC-TRechnungmitausgewiesenerMwSt&Gew?hrleistun?gPHOENIXCONTACTINTERBUSIBSTDI16/4PhoenixInterbusIBSCT24I/OGT-TNr.2719470MI:03PhoenixContactInterbus-SIBS220DODigitalOutputPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSUTH-KIdent.207PhoenixContactInterbusEMG45-NZG/G24/S?IovpPHOENIXCONTACTInterBus-SIBS24BK-TIdent.52PhoenixInterbusIBSCT24IOGT-LK-OPCNr.2742146PhoenixContactInterBusIBST24BAI2/SF2722771PhoenixInterbusP***-EG-RS232/RS?422-P/4KNr.:2761266)