等离子体化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体（非平衡等离子体）作能量源，工件置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使工件升温到预定的温度，然后通进适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在工件表面形成固态薄膜。它包括了化学气相沉积的一般技术，又有辉光放电的强化作用。由于粒子间的碰撞，产生剧烈的气体电离，使反应气体受到活化。同时发生阴极溅射效应，为沉积薄膜提供了清洁的活性高的表面。因而整个沉积过程与仅有热的过程有明显不同。这两方面的作用，在进步涂层结协力，降低沉积温度，加快反应速度诸方面都创造了有利条件。等离子体化学气相沉积技术按等离子体能量源方式划分，有直流辉光放电、射频放电和微波等离子体放电等。随着频率的增加，等离子体强化CVD过程的作用越明显，形成化合物的温度越低。PCVD的工艺装置由沉积室、反应物输送系统、放电电源、真空系统及检测系统组成。气源需用气体净化器除往水分和其它杂质，经调节装置得到所需要的流量，再与源物质同时被送进沉积室，在一定温度和等离子体等条件下，得到所需的产物，并沉积在工件或基片表面。所以，PCVD工艺既包括等离子体物理过程，又包括等离子体化学反应过程。塑料真空镀膜设备PCVD工艺具有广泛的用途。（1）超硬膜的应用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜，沉积速率可达4～10μm/h，硬度大于2000HV，绕镀性好，工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。（2）半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用SiO2，现在用SiN4H2用PCVD法来形成Si3N4，Si3N4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性，比SiO2强，从电性能及其掺杂效率来讲都是的，特别是当前的高速元件GaAs尽缘膜的形成，高温处理是不可能的，只能在低温下用等离子法进行沉积。)