芯片光刻的流程详解（一）在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephoreniepce在各种材料光照实验以后，开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的产品。“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。Niepce的发明100多年后，即第二次***期间才应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。8刻蚀就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉，达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。NR77-25000P,RD8品牌产地型号厚度***应用加工特性Futurrex美国NR71-1000PY0.7μm~2.1μm高温耐受用于i线***的负胶LEDOLED、显示器、MEMS、封装、生物芯片等金属和介电质上图案化，不必使用RIE加工器件的永组成（OLED显示器上的间隔区）凸点、互连、空中连接微通道显影时形成光刻胶倒梯形结构厚度范围：0.5～20.0μmi、g和h线***波长对生产效率的影响：金属和介电质图案化时省去干法刻蚀加工不需要双层胶技术NR71-1500PY1.3μm~3.1μmNR71-3000PY2.8μm～6.3μmNR71-6000PY5.7μm~12.2μmNR9-100PY粘度增强NR9-1500PYNR9-3000PY2.8μm~6.3μmNR9-6000PYNR71G-1000PY负胶对g、h线波长的灵敏度NR71G-1500PYNR71G-3000PYNR71G-6000PYNR9G-100PY0.7μm～2.1μmNR9G-1500PY1.3μm～3.1μmNR9G-3000PYNR9G-6000PY耐热温度PR1-500A0.4μm～0.9μm光刻胶光刻胶组分及功能光引发剂光引发剂吸收光能（辐射能）后经激发生成活性中间体，并进一步引发聚合反应或其他化学反应，是光刻胶的关键组分，对光刻胶的感光度、分辨率等起决定性作用。树脂光刻胶的基本骨架，是其中占比较大的组分，主要决定***后光刻胶的基本性能，包括硬度、柔韧性、附着力、***前后对溶剂溶解度的变化程度、光学性能、耐老化性、耐蚀刻性、热稳定性等。溶剂溶解各组分，是后续聚合反应的介质，另外可调节成膜。单体含有可聚合官能团的小分子，也称之为活性稀释剂，一般参加光固化反应，可降低光固化体系粘度并调节光固化材料的各种性能。光增感剂是引发助剂，能吸收光能并转移给光引发剂，或本身不吸收光能但协同参与光化学反应，起到提高引发效率的作用。光致产酸剂吸收光能生成酸性物质并使***区域发生酸解反应，用于化学增幅型光刻胶。助剂根据不同的用途添加的颜料、固化剂、分散剂等调节性能的添加剂。主要技术参数分辨率（resolution）是指光刻胶可再现图形的小尺寸。一般用关键尺寸来（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。)