嵌入式存储技术的发展已经使得大容量DRAM和SRAM在目前的系统级芯片(SoC)中非常普遍。大容量存储器和小容量存储器之间的折衷权衡使得各种尺寸的存储器变得切实可行，SoC也更像过去的板级系统。式的嵌入式存储器甚至增加了低功耗工作特性以满足手持系统的需求。大容量嵌入式存储器给SoC带来了诸如改善带宽和降低功耗等只能通过采用嵌入技术来实现的各种好处。漳州IC698ACC720上架数字通信开始快速发展，射频功率测量的***也开始有些变化。因为数字调制信号(如下图)的包络无规律可循，其和电平会随机变化，而且变化量很大。为了描述这类信号的特征，引入了一些新的描述方法，如领道功率、突发功率、通道功率等。很多传统的功率计已经无法满足数字信号功率的测量要求，一部分功率测量的任务已经开始由频谱分析仪来完成。下面我们介绍常见的几种射频功率测量方法，在此之前我们还需要明确一件事——在频域测试测量中，为什么习惯以功率来描述信号强度，而不是像时域测试测量中常用的电压和电流?那是因为在射频电路中，由于传输线上存在驻波，电压和电流失去了性，所以射频信号的大小一般用功率来表示，通用的功率单位为W、mW、dBm。SoC中内嵌DRAM和/或大容量SRAM模块是否切合实际并取得成功主要依赖于制造工艺。高度可制造的存储器结构可以解决影响SoC设计的成本、上市时间和风险问题。虽然SRAM一直是SoC中的主要部件，但在过去的几年，单片SoC中SRAM块的大小和数量开始猛增。带150个SRAM块的芯片并不稀奇，一些内核容量甚至达到1Mb～8Mb。SiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000SiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000SiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000PhoenixContactInterbus-SBusklemmeIBSST24BKRB-TPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TNeuinOVPSiemensPhoenixInterbusIBSS7-400ETHDSCI-T2731102PhoenixContactInterBus-SIBSAI6/8AnalogInputPhoenixContactInterBus-SIBSAO4/8AnalogOutputSiemensPhoenixInterbusIBSS5DSC/I-T2752000PhoenixContactIBSST24BK-TInterBusPHOENIXCONTACTIBSInterBusIBST24Ao4/SF/4AnalogPHOENIXINTERBUS-Motors?chalterIBSIP500ELRANr2751755SiemensS5PhoenixContactInterbus-SIBSS5DCB-Ts7Ort:TschechischeRepublikPhoenixInterbusModulIBSCT24DIONo.2750497Expressversandm?glichPhoenixInterbusModulIBSCT24DIONo.2750497Expressversandm?glichPhoenixInterbusModulIBSCT24DIONo.2750497Expressversandm?glichPhoenixInterbusIBSS7-400ETHDSC/I-TAnschaltbaugr.PHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TTopPhoenixContactInterbusIBC24DIOovpPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DO16-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DO16-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTInterBus-SIBSRT24DI32-TNeuinOVPPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2PHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2PHOENIXCONTACTIIBSInterBusIBST24Di32/2TopPhoenixContactInterbusIBSMCFlash2MB2729389)