企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司电池片的制作工艺振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。影响因素1．频率射频PECVD系统大都采用50kHz~13.56MHz的工业频段射频电源。较高频率（gt;4MHz）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。2．射频功率增加RF功率通常会改善SiN膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过1W/cm2时器件会造成严重的射频损伤。3．衬底温度PECVD膜的沉积温度一般为250～400℃。这样能保证氮化硅薄膜在HF中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于200℃下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于450℃时膜容易龟裂。4．气体流量影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是SiH4。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20（体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。5．反应气体浓度SiH4的百分比浓度及SiH4/NH3流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。理想Si3N4的Si/N＝0.75，而PECVD沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成SiN。因此，必须控制气体中的SiH4浓度，不宜过高，并采用较高的SiN比。除了Si和N外，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHZ或SiNx:H。6．反应压力、和反应室尺寸等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。电池片常见异常情况处理方法振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。二、翘曲：1、硅片太薄：控制原始硅片厚度；2、印刷铝浆太厚：控制铝浆增重量；3、烧结温度过高：调整烧结炉4、5、6、7区温度；4、烧结炉冷却区冷却效果不好：查看风扇状况、进出水温度压力等三、铝包：1、烧结温度太高：调整烧结炉4、5、6、7区温度；2、印刷铝浆太薄：增大铝浆的印刷量；3、使用前浆料搅拌不充分：搅拌时间必须达到规定时间；4、铝浆印刷后烘干时间不够：增加烘干时间或提高烘干温度；5、烧结排风太小：增大烧结炉排风；6、烧结炉冷却区冷却区冷却效果不好：查看风扇状况、进出水温度压力等；电池片各工序影响因素及异常情况振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，***限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。电池片各工艺流程危害要素及异常现象一回清理危害要素1.溫度溫度过高，先就是说IPA不太好操纵，溫度一高，IPA的蒸发迅速，汽泡印就会随着出現，那样就大大减少了PN结的合理总面积，反映加重,还会出現影片的飘浮，导致残片率的提升。可控性水平：调整设备的设定，能够非常好的调整溫度。2.時间金字塔式随時间的转变：金字塔式慢慢冒出；表层上基础被小金字塔式遮盖，少数刚开始成才；金字塔式满布的绒面早已产生，仅仅尺寸不匀称，透射率也降至较为低的状况；金字塔式向外扩大企业兼并，容积慢慢澎涨，规格趋向平等，透射率略微降低。可控性水平：调整机器设备主要参数，能够精准的调整時间。3.IPA1.帮助氡气的释放出来。2.变弱NaOH水溶液对硅片的浸蚀幅度，调整各向系数。纯NaOH水溶液在高溫下对分子排序较为稀少的100晶面和较为高密度的111晶面毁坏较为大，每个晶面被浸蚀而消溶，IPA显著变弱NaOH的浸蚀抗压强度，提升了浸蚀的各向异性，有益于金字塔式的成型。酒精含水量过高，碱水溶液对硅水溶液浸蚀工作能力越来越太弱，各向异性系数又趋向3。可控性水平：依据初次配液的含水量，及每一次大概耗费的量，来填补足量的液體，线性度不高。)