金属封装外壳编程囊括了加工的工序设定、刀具选择，转速设定，刀具每次进给的距离等等。此外，不同产品的装夹方式不同，在加工前要设计好夹具，部分结构复杂产品需要做专门的夹具.为了减少陶瓷基板上的应力，设计者可以用几个较小的基板来代替单一的大基板，分开布线。因而用碳纤维(石墨纤维)增强的铜基复合材料在高功率密度应用领域很有吸引力。退火的纯铜由于机械性能差，很少使用。加工硬化的纯铜虽然有较高的屈服强度，但在外壳制造或密封时不高的温度就会使它退火软化，在进行机械冲击或恒定加速度试验时造成外壳底部变形。传统金属封装材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的热膨胀系数(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之间。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生；此外，为解决封装的散热问题，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片。本文主要介绍在金属封装中使用和正在开发的金属材料，这些材料不仅包括金属封装的壳体或底座、引线使用的金属材料，也包括可用于各种封装的基板、热沉和散热片的金属材料。世界各国常有Al2O3弥散加强无氧运动高导铜商品，如英国SCM金属制造企业的Glidcop带有99．7％的铜和0．3％弥散遍布的Al2O3。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。、铝纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次于银。它的热导率为401W(m-1K-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的CTE高达16．5×10-6K-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。金属封裝外壳压铸成形工艺：全压铸的工艺和塑胶制品的生产工艺流程十分相似，全是运用精密机械制造开展生产加工，仅仅材料由塑胶改为了溶化的金属；CNC与压铸融合工艺；以便降低瓷器基板上的地应力，设计师可以用好多个较小的基板来替代单一的大基板，分离走线。淬火的全铜因为物理性能差，非常少应用。它的热导率为401W(m-1K-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的CTE高达16．5×10-6K-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。冷作硬化的全铜尽管有较高的抗拉强度，但在外壳生产制造或密封性时不高的溫度便会使它淬火变软，在开展机械设备冲击性或稳定瞬时速度实验时导致外壳底端形变。许多密度低、的金属基复合材料特别适合航空公司、航空航天主要用途。金属基复合材料的常规原材料有很多种多样，但做为热配对复合材料用以封裝的主要是Cu基和灿基复合材料。金属封装外壳的特点及前景金属外壳的发展前景应用及要求随着各电子行业的发展需求，金属封装外壳广泛应用于航天、航空、航海、***、雷达、通讯、等军民用领域。它的热导率为401W(m-1K-1)，从热传导的角度观察，做为封裝罩壳是十分理想化的，能够应用在必须高烧导和／或高电导的封裝里，殊不知，它的CTE达到16．5×10-6K-1，能够在刚度粘合的陶瓷基板上导致挺大的焊接应力。目前，微电子领域产品运用的越来越广范，需求的量越来越大，外壳作为集成电路的关键组件之一，主要起着电路支撑、电信号传输、散热、密封及化学防护等作用，在对电路的可靠性影响以及占电路成本的比例方面，外壳均占有重要地位。)