密度大也使Cu／W具备对室内空间辐射源总使用量(TID)自然环境的屏蔽掉***，由于要得到一样的屏蔽掉***，应用的铝薄厚必须是Cu／W的16倍。以便降低瓷器基板上的地应力，设计师可以用好多个较小的基板来替代单一的大基板，分离走线。新式的金属封装材料以及运用除开Cu／W及Cu／Mo之外，传统式金属封装材料全是单一金属或铝合金，他们常有一些不够，无法解决当代封裝的发展趋势。许多密度低、的金属基复合材料特别适合航空公司、航空航天主要用途。金属基复合材料的基体材料有很多种多样，但做为热配对复合材料用以封裝的主要是Cu基和灿基复合材料。材料工作人员在这种材料基本上科学研究和开发设计了很多种多样金属基复合材料(MMC)，他们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化学物质(如TiAl、NiAl)为基体，以颗粒物、晶须、涤纶短纤维或持续化学纤维为提高体的一种复合材料。不少低密度、的金属基复合材料非常适合航空、航天用途。金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。金属基复合材料的基体材料有很多种，但作为热匹配复合材料用于封装的主要是Cu基和灿基复合材料。Cu／W和Cu／Mo为了降低Cu的CTE，可以将铜与CTE数值较小的物质如Mo、W等复合，得到Cu／W及Cu／Mo金属-金属复合材料。这些材料具有高的导电、导热性能，同时融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根据组元相对含量的变化进行调整，可以用作封装底座、热沉，还可以用作散热片。非常好的导热性，提供热耗散；③非常好的导电性，减少传输延迟；④良好的EMI／RFI屏蔽能力；⑤较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护；⑦较低的成本。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等金属外壳制作工艺大致可以分为3种、一种是全CNC加工，一种是压铸，还有就是将CNC与压铸结合使用。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。CNC加工工艺：全CNC加工顾名思义就是从一块铝合金板材（或者其他金属材料板材）开始，利用精密CNC加工机床直接加工成需要的手机后盖形状，包括内框中的各种台阶、凹槽、螺丝孔等结构这种材料已在金属封装中得到广泛使用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中使用Glidcop代替无氧高导铜作为底座。美国Sencitron公司在TO-254气密金属封装中使用陶瓷绝缘子与Glidcop引线封接。金属封装外壳在将柱形铝材按照前面评估的胚料大小进行切割并挤压，这个过程被称之为铝挤，会让铝材挤压之后成为规则的铝板方便加工，同时更加致密，坚硬。因为原始的铝材硬度和强度都不够。)