氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。其次，要得到生长完1美、大尺寸的高质量晶体，整个冶炼过程非常耗时耗能，将长达几十个小时。在这个过程中如何调整控制电流和电压，使冶炼过程能够安全稳定运行，电控系统承担了***艰巨的任务。氧化镁(MgO)一般情况下是白色粉末，但是氧化镁晶体，离子晶体，氧是典型的非金属，镁是典型的金属，所以形成的氧化镁是离子晶体。由于氧化镁(MgO)单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。氧化镁的熔点在2800°C以上，沸点为3600°C，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧化镁单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。随着科学技术的不断进步，尤其是光电产业和无线通讯的发展，单晶氧化镁的需要量越来越大，发展前景非常广阔。氧化镁是一种典型的碱土氧化物,其晶体为岩盐结构,是研究晶体色心性质的重要材料,也是一种重要的光学及光电子学材料。透明MgO单晶的熔点高达2800℃,是无残留气孔的高致密性材料。因其光透过率、折射率、热导率、电绝缘性、化学稳定性、机械强度等方面性能优异。)