蒸镀中关键的两个参数是真空度（≤10-3Pa）和相对蒸发源的基片距离（10~50cm）。蒸镀过程中，膜层粒子与真空室中的气体的碰撞是应该避免的，因此，相对蒸发源的基片距离应大于工作状态下真空室内气体分子的平均自由程。溅射镀膜过程为：气体放电→等离子体→带电离子→电场作用→离子加速→高能离子→撞击靶材→溅射→发射靶材原子→飞向基板→形成沉积→获得薄膜。直流等离子体化学气相沉积（DC-PCVD）DC-PCVD是利用高压直流负偏压（-1～-5kV），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，受其外形、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极四周压降，电场强度，正由于有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，并会造成积累放电，***正常的反应。原子沉积过程可以在真空，气态，等离子体或电解环境中进行。而且，沉积室中的真空环境会将沉积过程中的气态污染降低到非常低的水平。过去的几十年展示了PVD技术的发展，旨在改善涂层特性和沉积速率，而无需保留初始表面清洁以去除可能的污染物。该技术已经得到了相关的改进，主要是在碳化物和纳米复合过渡金属氮化物衬底上。尽管这种方法的沉积速率有效性的提高一直是与这种技术有关的工业关注的***，但研究仍集中在改善涂层的特性上。当考虑电子束蒸发技术时，该方法涉及纯粹的物理过程，其中目标充当包含待沉积材料的蒸发源，该材料用作阴极。请注意，系统会根据电子束功率蒸发任何材料。通过在高真空下轰击电子，在高蒸气压下加热材料，并释放出颗粒。然后，在原子尺寸释放的粒子和气体分子之间发生冲突，该粒子插入反应器中，旨在通过产生等离子体来加速粒子。该等离子体穿过沉积室，在反应器的中间位置更强。连续压缩层被沉积，从而增加了沉积膜对基底的粘附力)