企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司电池片的检验振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，***限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。6、加工工艺小圆圈该怎样判？人们检测处未作退级解决，假如发觉小圆圈的半经超出1.6mm立即向主管意见反馈或告之品管部，PECVD处会立即将高纯石墨舟换下来7、隐裂片怎样造成？怎样判？大部分是原料的难题，另一个是影片在外扩散高溫反映后內部分子结构产生撞击。在多芯片里，一些隐裂片裂缝并不是很长，能够按文档规定作需切角。8、空气氧化的电池片怎样判？如果不是将其风干，依据空气氧化后得色调判。（淡***）9、怎样了解跑模产生在哪儿一条？以料浆的色调来判，第二条豫第三道的料浆是不会改变的，各自是铝浆和银浆，色调各自为深***和乳白色。一层有将会是银浆或银铝浆，银铝浆是灰白，另一个，要看漏浆的部位。10、对断开未超出2mm的电池片，判断不相同？先依照文档判断是不是超出规定的总数，如果不是，按断开的显著水平及部位。电池片的制作工艺振鑫焱光伏科技有限公司常年采购：高价回收硅片，电池片，初级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳能电池，光伏组件，太阳能电池板，客户撤退，降级，库存，El，不良测试，二手，旧，工程，拆卸，路灯，拆解电站，拆卸，胶合板，层压板，无边界晶体硅，多晶硅，单晶硅，实验板，***偿还，返工，光伏模块回收等。影响因素1．频率射频PECVD系统大都采用50kHz~13.56MHz的工业频段射频电源。较高频率（gt;4MHz）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。2．射频功率增加RF功率通常会改善SiN膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过1W/cm2时器件会造成严重的射频损伤。3．衬底温度PECVD膜的沉积温度一般为250～400℃。这样能保证氮化硅薄膜在HF中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于200℃下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于450℃时膜容易龟裂。4．气体流量影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是SiH4。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20（体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。5．反应气体浓度SiH4的百分比浓度及SiH4/NH3流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。理想Si3N4的Si/N＝0.75，而PECVD沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成SiN。因此，必须控制气体中的SiH4浓度，不宜过高，并采用较高的SiN比。除了Si和N外，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHZ或SiNx:H。6．反应压力、和反应室尺寸等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。)