光刻和蚀刻技术，用光胶、掩膜、和紫外光进行微制造，由薄膜沉积，光刻和蚀刻三个工序组成。?光刻前首先要在基片表面覆盖一层薄膜，薄膜的厚度为数埃到几十微米，称为薄膜沉积。然后在薄膜表面用甩胶机均匀地覆盖上一层光胶，将掩膜上微流控芯片设计图案通过***成像的原理转移到光胶层的工艺过程称为光刻。?2：铝牌填漆，我上了漆以后用煤油清理周边的多余漆，整版颜色都不白了啊。光刻的质量则取决于光抗蚀剂（有正负之分）和光刻掩膜版的质量。掩膜的基本功能是基片受到光束照射（如紫外光）时，在图形区和非图形区产生不同的光吸收和透过能力。注:a.烘干速度应与碱洗速度相同；b.水洗时水量较大,要确保冲洗干净。(4)注：开机运行到设定温度后(约15~20分钟),方可测试酸液及碱液的浓度,其在规定范围内可进行生产。二、酸溶液的配制1.酸液1)第二槽酸液配制方法:a.开槽配360升左右酸液b.配制比例:盐酸HCL(36~38%):纯水H2O1:1.5c.取178升的HCL慢慢加入267升纯水中(边搅拌边加入)。配好后测试酸的当量浓度,在范围内方可使用。理论上﹐如果溶液形状相互交叉,该部分的喷射力就会降低而不能有效地将蚀刻表面上的旧溶液冲掉使新溶液与其接触。六、酸/碱体积比的检验方法：开机运行到设定温度后(约15~20分钟),测试酸液及碱液的体积比,在规定范围内方可进行生产。1．酸液1）新配酸液和使用过的酸液的测定a.将酸液稀释用吸量管吸取10ml酸液，放入100ml容量瓶中，然后加入纯水至刻度处，盖好玻璃塞，摇匀备用；5%)60～100ml/l，磷酸(85%)20～45ml/l，复合光亮剂1～5g/l，缓蚀剂0。b.测定酸液当量体积用吸量管吸取10ml“a”之稀释液，放入锥瓶中，加入纯水30ml摇匀，再加入酚酞指示剂1~3滴并记下锥瓶内溶液的体积为V1，再取（NaOH）标准溶液倒入滴管内一般以50ml为基准，然后缓慢滴入锥瓶中，滴至粉红色后摇匀一分钟后不褪色为终点，计下此时锥瓶内的数据为V2，根据以下公式计算出溶液的体积)