IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下：?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益；?半导体元器件生产厂——应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率；?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；?航天、领域———应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；关断时间测试参数：1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、关断耗散功率Pon：10W～250kW关断时间测试条件：1、集电极电压Vce：50～100V±3%±1V100～500V±3%±5V500V～1000V±3%±10V2、集电极电流Ic：50～100A±3%±1A;100～500A±3%±2A;500～1000A±3%±5A;2.3栅极电荷技术条件测试参数：栅极电荷Qg：20nC～100uC20nC～100nC±5%，分辨率±1nC100nC～500nC±5%，分辨率±5nC500nC～2uC±5%，分辨率±10nC2uC～10uC±5%，分辨率±50nC10uC～100uC±5%，分辨率±100nC测试条件：1、栅极驱动电压：-15V～15V±3%，分辨率±0.1V2、集电极电流：50～100A±3%±1A;100～500A±3%±2A;500～1000A±3%±5A;3、集电极电压：50～100V±3%±1V100～500V±3%±5V500V～1000V±3%±10V4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V?西门子PLC逻辑控制15）数据采集与处理单元用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：。集电极电流测试设备精度：200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?脉冲时间：40~100ms可设定)