多弧离子PVD镀膜设备腔体结构：立式前开门，卧式前开门，后置真空获得系统材质用料：腔体采用SUS304不锈钢材质离子弧源：依据设备大小不同配备多套弧电源系统偏压电源：配备大功率单级脉冲偏压电源多弧靶材：标配多套钛靶或不锈钢靶材转动系统：变频调速，公自转结合，可采用上传动或下传动方式真空系统（装饰镀膜设备Decorativecoating）：扩散泵（可选分子泵）罗茨泵机械泵维持泵深冷系统（可选）同时，人们把另一类气相沉积，即通过高温加热金属或金属化合物蒸发成气相，或者通过电子、等离子体、光子等荷能粒子的能量把金属或化合物靶溅射出相应的原子、离子、分子(气态)，在固体表面上沉积成固相膜，其中不涉及到物质的化学反应(分解或化合)，称为物***相沉积PVD)。随着气相沉积技术的发展和应用，上述两类型气相沉积各自都有新的技术内容，两者相互交叉，你中有我，我中有你，致使难以严格分清是化学的还是物理的。化学气相沉积的特点化学气相沉积工艺是，将加热的模具暴露在发生反应的混合气氛（真空度≤1Pa）中，使气体与模具表面发生反应，在模具表面上生成一层薄的固相沉积物，如金属碳化物、氮化物、硼化物等。这里有两个关键因素：一是作为初始混合气体气相与基体固相界面的作用，也就是说，各种初始气体之间在界面上的反应来产生沉积，或是通过气相的一个组分与基体表面之间的反应来产生沉积。二是沉积反应必须在一定的能量条件下进行。一般情况下，产生气相沉积的化学反应必须有足够高的温度作为条件，在有些情况下，可以采用等离子体或激光辅助作为条件，降低沉积反应的温度。五金配件纳米镀膜设备PCVD工艺具有广泛的用途。（1）超硬膜的应用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜，沉积速率可达4～10μm/h，硬度大于2000HV，绕镀性好，工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和耐磨零件。（2）半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用SiO2，现在用SiN4H2用PCVD法来形成Si3N4，Si3N4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性，比SiO2强，从电性能及其掺杂效率来讲都是的，特别是当前的高速元件GaAs尽缘膜的形成，高温处理是不可能的，只能在低温下用等离子法进行沉积。)