3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V,1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。?输入电压380V±10%?频率50HZ；?输出电压500～1500V可调（可多个电源组成）?输出电流10A；?电压控制精度1%?电压调整率?纹波电压?工作温度室温～40℃；?保护有过压、过流、短路保护功能。公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。公司装备精良，具有***的检测手段，产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行，其品质、技术及工艺方面保持国内，部分产品达到国外同类产品的***水平。工作湿度9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达***。)