三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；C：脉冲宽度50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOSIGBT内部二极管压降J:一次测试IGBT全部静态参数K:生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；工作湿度9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。3、系统基本参数3.1电压源：220VAC±10%，50Hz/60Hz20ARMS；3.2加热功能：室温～150℃；3.3测试功能：可测试IGBT模块及FRD；3.4环境温度：25℃±15℃；3.5环境湿度：50%±20%（相对湿度）4、动态测试基本配置4.1集电级电压Vcc：50~1000V；4.2集电极电流Ic：50~1000A***负载；4.3电流持续时间It：10~1000us单个脉冲或双脉冲的总时间；4.4脉冲模式：单脉冲和双脉冲；4.5单电流脉冲的设置：Vcc，Ic,电感值（自动计算脉宽）；4.6双电流脉冲的设置：Vcc,Ic,电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；4.7设备寄生电感Lint:8）高压大功率开关?电流能力200A?隔离耐压10kV?响应时间150ms?脉冲电流20kA（不小于10ms）?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温～40℃?工作湿度9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流200A?工作湿度)