（3）设备的功能特点1）各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。4硬件模块设备硬件部分应包括测试主机、测试线缆，测试夹具、控制电脑等*1。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。2）具有大容量的数据采集能力。测试数据直接进入控制电脑，这样使得采集数据的容量为无限大。3）具有内置的***软件，帮助提供自动判断。4）具有方便的历史数据存储及检索功能。三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0。C：脉冲宽度50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOSIGBT内部二极管压降J:一次测试IGBT全部静态参数K:生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。01mA栅极电压VGE：0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth：1-10V±2%±0。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。参数名称符号参数名称符号开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)上升时间tr下降时间tf开通时间ton关断时间toff开通损耗Eon关断损耗Eoff栅极电荷Qg短路电流ISC//可测量的FRD动态参数反向***电流IRM反向***电荷Qrr反向***时间trr反向***损耗Erec)