Magneto-ResistorSerialMagneto-ResistorComponentInSb磁敏电阻元件采用半导体薄膜工艺技术制作差分结构高灵敏度半导体InSb的磁敏电阻元件;能对旋转速度、角度、位置和方向等物理量转换成电信号.具有下列特点:1.灵敏度高,输出信号幅值大;2.体积小,结构简单,裸体芯片;3.有单磁阻元件两引出线，双磁阻元件差分结构的三引线和双独立磁阻元件结构四引线;4.磁阻效应变化很大.单相磁敏电阻传感器(芯片)的技术指标:SMR-1A（差分式）SMR-1B（差分式）SMR-1C(单磁阻)工作电压5V5V3VRB/Ro(B=3000GS)大于2.3大于2.8大于2.5标称总阻值(KΩ)0.3----2.500.2---2.00.1---0.8对称性小于30℅小于15℅━━磁场范围0---------0.5T频率特性0----100KHz温度系数Tcv-2.0%/℃工作温度-40℃-------+80℃参考外形尺寸(裸片)3.0*3.0mm,2.64*4.30mm,4.30*2.00mm*1.双磁阻元件差分结构的三引线,裸片尺寸是:3.0*3.0mm;SMR-1ASMR-1B2.双独立磁阻元件结构的四引线,裸片尺寸是:4.30*2.64mm;SMR-1ASMR-1B3.单磁阻元件双引线结构,裸片尺寸是:4.30*2.00mm;SMR-1C应用:1.旋转齿轮和运动齿条的速度,位置,角度,方向的检测;2.高速接近传感器;3.磁性墨水文字图形识别传感器;4.无接触电流检测器.5.磁敏震动传感器5.磁阻效应实验(大学磁阻效应实验)。)