Magneto-ResistorSerialGiantMagneticResistorSensors巨磁敏电阻元件铁氧体磁性层与非磁性层的多层薄膜在磁场作用下,其阻值发生很大的变化（达4~10℅,各向异性磁敏电阻为小于3%）.该现象叫巨磁阻效应.磁电阻（MR）传感器是利用具有磁电阻效应的磁性纳米金属多层薄膜材料,通过半导体集成工艺制作而成.具有体积小、灵敏度高、线性度好、线性范围宽、响应频率高、工作温度特性好、可靠性高、成本低等特点.MTG-L2MTG-L3(桥式)工作电压5V~15V5V~15V工作磁场范围0Gs~+/-3Gs0Gs~+/-10Gs标称阻值(KΩ)1.0----3.01.0----2.0对称性小于1℅小于1℅线性度小于1℅小于1℅灵敏度1~4.0mV/V,Gs0.8~2.0mV/V,Gs标称阻值温度系数TCRO0.09～0.12％/℃磁阻效应温度系数TCVΔR/RO-0.1％/℃磁阻效应温度系数TCIΔR/RO0.031％/℃频率特性0----1000KHz工作温度-40℃-------+100℃封装-TO92-3TO92-4薄膜磁敏电阻元件的技术指标:封装：见右下图TO-92TO-94磁场敏感方向平行于管脚。当芯片刻字面朝上时，图示1脚为电源高端，3脚为电源低端，2、4脚为信号输出。应用:1.电子罗盘或电子指南针:航海,航空导航;2.地磁场检测,高精度磁补偿电流检测;3.交通控制系统交通工具检测:车辆分类,是否有车辆存在或通过的运动方向;仃车场车辆存在与否检测(检测距离是5-10米).4．低功耗要求磁场检测;5．高速接近传感器(磁钢)远距离(大于200mm)检测。)