Magneto-ResistorSerialGiantMagneticResistorSensors巨磁敏电阻元件铁氧体磁性层与非磁性层的多层薄膜在磁场作用下,其阻值发生很大的变化（达4~10℅,各向异性磁敏电阻为小于3%）.该现象叫磁阻效应.磁电阻（MR）传感器是利用具有磁电阻效应的磁性纳米金属多层薄膜材料,通过半导体集成工艺制作而成.具有体积小、灵敏度高、线性度好、线性范围宽、响应频率高、工作温度特性好、可靠性高、成本低等特点.薄膜磁敏电阻元件的技术指标:MTG-L1MTG-L1M(加偏置磁钢)MTG-L2MTG-L3(桥式)工作电压5V~15V5V~15V工作磁场范围0Gs~+/-10Gs0Gs~+/-50Gs0Gs~+/-3Gs0Gs~+/-10Gs标称阻值(KΩ)2.0----3.62.0----3.61.0----2.01.0----2.0对称性小于1℅小于1℅小于1℅小于1℅线性度小于2℅小于1℅小于2℅小于1℅灵敏度0.3~0.7mV/V,Gs0.1~0.4mV/V,Gs1~4.0mV/V,Gs0.5~1.5mV/V,Gs标称阻值温度系数TCRO0.09～0.12％/℃磁阻温度系数TCVΔR/RO-0.1％/℃磁阻温度系数TCIΔR/RO0.031％/℃频率特性0----1000KHz工作温度-40℃-------+100℃封装-TO92封装：MTG-L1：3*4*2（厚度）mmMTG-L2D4.5*4.5(高度)mm应用:1.电子罗盘或电子指南针:航海,航空导航;2.地磁场检测,高精度磁补偿电流检测;3.交通控制系统交通工具检测:车辆分类,是否有车辆存在或通过的运动方向;仃车场车辆存在与否检测.4．旋转磁轮和运动磁条的转速或速度检测;5．高速接近传感器；远距离(大于200mm)检测。)