测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数,所有小电流指标保证1%重复测试精度,大电流指标保证2%以内重复测试精度。1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量：0。半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。半导体元器件生产厂——应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率。?航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；?机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对?现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；?水力、电力控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新?型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，?以确保出厂产品的稳定性、可靠性。?优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；500～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V；150～3300VIc集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；0～30V±1%±0.1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±0.1mA;400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；)