密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。金属封装材料为实现对芯片支撑、电连接、热耗散、机械和环境的保护，应具备以下的要求：①与芯片或陶瓷基板匹配的低热膨胀系数,减少或避免热应力的产生。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。可伐可伐合金(Fe-29Ni-17Co，中国牌号4J29)的CTE与Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE较为接近，具有良好的焊接性、加工性，能与硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金属封装中得到广泛的使用。但由于其热导率低，电阻率高，密度也较大，使其广泛应用受到了很大限制。金属基复合材料金属封装是采用金属作为壳体或底座，芯片直接或通过基板安装在外壳或底座上，引线穿过金属壳体或底座大多采用玻璃—金属封接技术的一种电子封装形式。它广泛用于混合电路的封装，主要是和定制的专用气密封装，在许多领域，尤其是在军事及航空航天领域得到了广泛的应用。金属封装外壳CNC与铝压铸融合便是先铝压铸再运用CNC深度加工。金属外壳制作工艺大致可以分为3种、一种是全CNC加工，一种是压铸，还有就是将CNC与压铸结合使用。工艺优点和缺点：CNC工艺的成本费较为高，原材料奢侈浪费也比较多，自然这类工艺下的中框或外壳品质也罢一些。Cu基高分子材料全铜具备较低的退火点，它做成的底座出現变软能够造成集成ic和／或基钢板裂开。以便提升铜的退火点，能够在铜中添加小量Al2O3、锆、银、硅。这种化学物质能够使无氧运动高导铜的退火点从320℃上升到400℃，而导热系数和导电率损害并不大金属基高分子材料金属封装是选用金属做为罩壳或底座，集成ic立即或根据基钢板安裝在外壳或底座上，导线越过金属罩壳或底座大多数选用夹层玻璃—金属封接技术性的一种电子封装方式。它普遍用以混和电源电路的封裝，主要是和订制的专用型气密性封裝，在很多行业，尤其是在及航天航空行业获得了普遍的运用。国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。金属封裝外壳压铸成形工艺：全压铸的工艺和塑胶制品的生产工艺流程十分相似，全是运用精密机械制造开展生产加工，仅仅材料由塑胶改为了溶化的金属。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。金属封装外壳压铸的原则就是不浪费，节省时间和成本，但是不利于后期的阳极氧化工艺，还可能留下沙孔流痕等等影响质量和外观的小问题，当然，厂商们都有一个良品率的概念，靠谱的厂商是不会让这些次品流入到后面的生产环节中去的。材料工作者在这些材料基础上研究和开发了很多种金属基复合材料(MMC)，它们是以金属(如Mg、Al、Cu、Ti)或金属间化合物(如TiAl、NiAl)为基体，以颗粒、晶须、短纤维或连续纤维为增强体的一种复合材料。一种金属封装外壳及其制备工艺的制作方法一种金属封装外壳，包括管座、引线、绝缘子和盖板，所述管座包括壳体及底板，所述壳体上设置封接孔，封接孔内设置引线，引线的一端置于壳体外部、另一端置于壳体内部；引线与封接孔之间设置绝缘子；所述盖板用于使壳体密封；置于壳体外部的引线端为柱型结构，置于壳体内部的引线端为扁平结构，且扁平结构的宽度大于封接孔的直径。此外，为解决封装的散热问题，各类封装也大多使用金属作为热沉和散热片。)