第二组喷嘴各自的喷淋面与前一组相对应的皆略有不同（它表示了喷淋的工作情况）,使喷射出的溶液形状成为迭加或交叉的状态。理论上﹐如果溶液形状相互交叉,该部分的喷射力就会降低而不能有效地将蚀刻表面上的旧溶液冲掉使新溶液与其接触。在喷淋面的边缘处,这种情况尤为突出,其喷射力比垂直喷射要小得多。这项研究发现﹐新的设计参数是65磅/平方英寸（即4Bar）。蚀刻设备的维护维护蚀刻设备的***关键因素就是要保证喷嘴的高清洁度及无阻塞物,使喷嘴能畅顺地喷射。每个蚀刻过程和每种实用的溶液都有一个很好的喷射压力的问题﹐就目前而言﹐蚀刻舱内喷射压力在30磅/平方英寸（2Bar）以上的情况微乎其微。但有一个原则﹐一种蚀刻溶液的密度（即比重或玻美度）越高﹐很好的喷射压力也应越高。关于蚀刻状态不相同的问题大量涉及蚀刻面的质量问题都集中在上板面被蚀刻的部分,而这些问题来自于蚀刻剂所产生的胶状板结物的影响。对这一点的了解是十分重要的,因胶状板结物堆积在铜表面上﹐一方面会影响喷射力﹐另一方面会阻档了新鲜蚀刻液的补充﹐使蚀刻的速度被降低。明显地﹐设备的维护就是更换破损件和磨损件﹐因喷嘴同样存在着磨损的问题,所以更换时应包括喷嘴。正因胶状板结物的形成和堆积,使得基板上下面的图形的蚀刻程度不同,***入的基板因堆积尚未形成﹐蚀刻速度较快,故容易被彻底地蚀刻或造成过腐蚀﹐而后进入的基板因堆积已形成﹐而减慢了蚀刻的速度。蚀刻是在光刻过的基片上可通过湿刻（wetetching）和干刻（dryetching）等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。选用适当的蚀刻剂，使它对光胶、薄膜和基片材料的腐蚀速度不同，可以在薄膜或基片上产生所需的微结构。?复杂的微结构可通过多次重复薄膜沉积－光刻－蚀刻这三个工序来完成。微流控基片通过预处理，涂胶，前烘，***，显影及坚膜，去胶等步骤后，材料上呈现所需要的图形，即通道网络。盖板与微流控芯片基片的封接?基片和盖板封接后形成封闭的小池，可用来储存***或安装电极。⑤用电解蚀刻机蚀刻把要蚀刻的金属板接在电源的正极，放平后将喷淋器接在电源的负极，喷出的盐水为导电液，进行电解，达到蚀刻的目的。)