感应耦合等离子体刻蚀的原理以下是创世威纳为您一起分享的内容，创世威纳***生产感应耦合等离子体刻蚀，欢迎新老客户莅临。感应耦合等离子体刻蚀法（InductivelyCoupledPla***aEtch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。感应耦合等离子体刻蚀机的结构二创世威纳——***感应耦合等离子体刻蚀供应商，我们为您带来以下信息。刻蚀腔体刻蚀腔体是ICP刻蚀设备的核心结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。刻蚀腔的主要组成有：上电极、ICP射频单元、RF射频单元、下电极系统、控温系统等组成。以上就是关于感应耦合等离子体刻蚀的相关内容介绍，如有需求，欢迎拨打图片上的***电话！感应耦合等离子体刻蚀机的结构四真空系统真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。想了解更多关于感应耦合等离子体刻蚀的相关资讯，请持续关注本公司。)